美国斯坦福大学电子工程学博士；麻省理工学院电子工程硕士、学士；在功率半导体领域有超过35年的研究和产品开发经验。在功率MOS器件、功率IC 、SJ-MOS等技术上具有丰富的开发经验；在Trench MOS、SJ-MOS、IGBT、Thyristor、BJT等技术上具有丰富的开发经验。 沟槽型MOS技术的主要发明人之一，成功开发和量产了世界上第一颗沟槽型MOS产品。持有已审过的（部分在审）专利超过200篇。