英国威尔士大学电子工程学博士，在功率半导体领域有超过30年的研究和产品开发经验。在2018年第30届功率半导体器件和集成电路（ISPSD）国际研讨会上，因“为推动功率半导体技术做出贡献而入选IEEE名人堂”。 发明了横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)；WFET 和 Turbo-FET沟槽式金属氧化层硅晶半导体场效电晶体。其持有已审过或在送审的专利超过100篇。
英国威尔士大学电子工程学博士，在功率半导体领域有超过30年的研究开发经验。 发明了分井和双井功率MOS技术(Split-Well MOSFET, Dual-Well MOSFET, CS-IGBT)；高密度分栅Trench MOS技术(Split-Gate Trench MOSFET)，多项专利已转化成在市场上大受欢迎的产品。持有已审过或在送审的专利超过100篇。
美国斯坦福大学电子工程学博士；麻省理工学院电子工程硕士、学士；在功率半导体领域有超过35年的研究和产品开发经验。在功率MOS器件、功率IC 、SJ-MOS等技术上具有丰富的开发经验；在Trench MOS、SJ-MOS、IGBT、Thyristor、BJT等技术上具有丰富的开发经验。 沟槽型MOS技术的主要发明人之一，成功开发和量产了世界上第一颗沟槽型MOS产品。持有已审过的（部分在审）专利超过200篇。
电子工程学学士，MBA，在半导体领域有超过15年的经验，擅长市场布局及销售战略的实施，将公司产品推向消费电子，工业/商业及汽车市场，业务范围遍及北美、欧洲及亚洲等地区。
